刘少华在检测碳化硅衬底晶圆的晶格畸变
刘少华1986年出生，河北同光半导体股份有限公司技术中心加工技术部技术主管，电子工程专业高级工程师，长年从事碳化硅衬底研磨抛光的工艺技术开发与优化工作，主持参与完成多项技术提升项目，曾获河北省科学技术成果及保定市科技进步奖，获得发明专利3项。2023年获评首届“保定市高新区工匠”，2024年获评第二届“保定工匠”。
工作中，刘少华善于攻坚克难，克服解决了项目研发过程中遇到的多项技术问题，推动项目顺利完成产业化量产，为公司产品质量提升及成本降低做出积极贡献。
在大尺寸碳化硅晶片研磨抛光工艺路线选型期间，刘少华曾遇到大尺寸晶片加工过程中出现异响，导致晶片研磨抛光时频繁发生裂片现象，研发进程因此停滞。刘少华化身为一名操作工，仔细检查上料下料每一片晶片，不放过每一个细节，全程观察设备参数的变化，检测晶片加工前后的指标变化，寻找规律。经过与团队一起开展“头脑风暴”，将所有相关的影响因素设计实验进行全面排查，最终找到了问题的关键影响因素，在解决一个又一个问题后，最终实现规模化量产。
半导体器件的制作对衬底晶圆的平坦度及表面质量要求极高，为了提升大尺寸晶圆的平坦度及表面质量，刘少华带领工艺团队将研磨抛光的前后多个加工工序有机结合，创造性研发出一条提升大尺寸晶圆加工平坦度的加工方案，经过稳定的规模化量产，该加工方案可以将大尺寸晶圆的平坦度控制在ttv小于5微米以内，晶圆表面粗糙度小于0.2纳米以内，实现了无划伤的高质量表面。“碳化硅衬底加工工艺的每一次优化，生产成本的每一次降低，衬底性能指标的每一次提升，都是一次又一次突破自我，也是我们为之自豪的时刻。”刘少华说。
刘少华还曾成功完成《亚微米划伤改善》、《衬底表面质量的研究》、《8inch衬底加工流程优化》等指标提升项目，并作为研究团队成员参与申报《先进碳化硅单晶材料中试熟化基地》及2023年度河北省省级科技计划项目《低缺陷密度8英寸碳化硅单晶衬底制备技术及应用示范》等多个省级科技计划项目。
刘少华表示，扎根生产一线，对生产工艺精益求精，不断提升规模化生产工艺水平，是他持之以恒的追求。今后，他将与公司同仁一道，为打破国外半导体碳化硅衬底的封锁禁售，实现高质量国产碳化硅衬底的量产继续贡献自己的力量。
吕新生 李畅 闫倩欣
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